这是一个完全由ai写的，使用STM32G431CBU6单片机，128×160 Tft彩屏，控制的40伏输入，降压至12伏至18伏 600千赫兹，4.7微亨电感器，使用两个5毫欧电阻进行输入输出电流采样，同时使用电位器进行0.2伏步进调整 初试死区8纳秒，两个按键可调20~4纳秒，两个外置mosfet，与栅极驱动器， Dc dc降压电源
这是一个完全由ai写的，使用STM32G431CBU6单片机，128×160 Tft彩屏，控制的40伏输入，降压至12伏至18伏 600千赫兹，4.7微亨电感器，使用两个5毫欧电阻进行输入输出电流采样，同时使用电位器进行0.2伏步进调整 初试死区8纳秒，两个按键可调20~4纳秒，两个外置mosfet，与栅极驱动器， Dc dc降压电源
最近一年贡献：6 次
最长连续贡献：2 日
最近连续贡献：2 日
贡献度的统计数据包括代码提交、创建任务 / Pull Request、合并 Pull Request，其中代码提交的次数需本地配置的 git 邮箱是 Gitee 帐号已确认绑定的才会被统计。